[发明专利]PIN超结结构有效
| 申请号： | 201310085640.2 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN103839977B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;卢烁今;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种PIN超结结构，包括N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接；所述本征区设置在N型柱及P型柱之间。本发明提供的PIN超结结构，在传统的N+/P+柱之间加入本征区域，从而使N+/P+柱的宽度和掺杂浓度的约束关系去除，不仅能给器件设计提供更大的自由度，还能更好的去折中器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | pin 结构 | ||
【主权项】：
一种PIN超结结构，其特征在于，包括：N型柱、P型柱、发射极、基区、发射极金属层、缓冲层、集电极、集电极金属层及本征区；所述N型柱依次通过缓冲层、集电极与集电极金属层连接；所述P型柱与所述基区连接；所述发射极金属层分别与发射极及基区电学连接；所述本征区设置在N型柱及P型柱之间；所述本征区包括N‑区域和P‑区域，构成N+N‑P‑P+结构，或，超结结构，构成N+N+P+P+结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司，未经中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310085640.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包装袋成型架
- 下一篇：散剂包装机内袋成型及退袋装置
- 同类专利
- 专利分类
