[发明专利]一种隧穿场效应晶体管无效
| 申请号： | 201310083020.5 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103151390A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张雪锋;陈建新;章国安;张士兵;魏崃;王志亮;尹海宏 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 吴静安 |
| 地址： | 226019 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂的衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触个漏电极。优点是，克服了掺杂原子扩散导致的pn结耗尽展宽造成电子隧穿几率下降的问题；并且电子隧穿发生在整个源区，电子隧穿面积大，因而能够获得大的开态电流；通过平行设置的栅电极-源电极结构简便地实现电子的垂直隧穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧穿场效应晶体管，在绝缘层上形成凸出于该绝缘层的轻掺杂或不掺杂半导体晶体衬底脊，源极区和漏极区在间隔一定距离的所述脊上形成，使源极区和漏极区之间存有一间隔区，在对应于源极区和间隔区的一侧面上形成绝缘介质层，在该绝缘介质层的外侧面形成栅电极，在源极区未被绝缘介质层覆盖且与所述栅电极平行的侧面形成欧姆接触的源电极，在漏极区上形成欧姆接触的漏电极。
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