[发明专利]含有读/写电压产生器芯片的三维存储器有效
| 申请号： | 201310079458.6 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103633048A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/065;H01L25/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 发明提出一种含有读/写电压产生器芯片的三维存储器，它含有至少一单独的三维阵列芯片(30)和一单独的读/写电压产生器芯片(40)。三维阵列芯片(30)含有多个三维存储阵列(22aa…)，读/写电压产生器芯片(40)为三维阵列芯片30提供至少一与电源电压(VDD)不同的读/写电压(VR/VW)。该三维存储器支持多个三维阵列芯片(30a,30b…)。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 电压 产生器 芯片 三维 存储器 | ||
【主权项】：
一种三维存储器(50)，其特征在于包括：一三维阵列芯片(30)，该三维阵列芯片(30)含有至少一三维存储阵列(22aa…)，该三维存储阵列(22aa…)含有多个相互堆叠的存储层(16A, 16B…)；一读/写电压产生器芯片(40)，该读/写电压产生器芯片(40)含有至少一读/写电压产生器(41)，该读/写电压产生器(41)为该三维阵列芯片(30)提供至少一与电源电压(VDD)不同的读电压(VR)；所述三维阵列芯片(30)和所述读/写电压产生器芯片(40)为两个不同的芯片。
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