[发明专利]结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法

摘要

本发明公开了一种结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构及其制程方法，其中前述结构由包括有一基板、至少一基板通孔、至少一背面金属层、至少一第一金属层、至少一半导体电子元件以及至少一金属凸块；其中该第一金属层以及该半导体电子元件形成于该基板的正面；该金属凸块，形成于该第一金属层之上；该基板通孔贯穿该基板；该背面金属层形成于该基板的背面，覆盖住该基板通孔以及至少覆盖住部分该基板的背面，并与至少部分该第一金属层于该基板通孔的顶部相接触。运用本发明的结构，有助于提高半导体元件的连结密度，可大幅缩小晶片尺寸，并增快信号传输速度，而同时又可降低耗电量，且又能提供异质整合。

主权项

一种结合基板通孔与金属凸块的半导体晶片结构，其特征在于，主要结构包括有：一基板；至少一基板通孔，贯穿该基板；至少一背面金属层，形成于该基板的背面，且该背面金属层覆盖住该基板通孔以及至少覆盖住部分该基板的背面；至少一第一金属层，形成于该基板的正面，且其中至少部分该第一金属层于该基板通孔的顶部与该背面金属层相接触；至少一半导体电子元件，形成于该基板的正面，且部分该第一金属层与部分该半导体电子元件相接触；以及至少一金属凸块，形成于该第一金属层之上；于该基板之上，更设置一保护层，使该保护层覆盖住至少部分该基板、该半导体电子元件以及部分该第一金属层，且该金属凸块以及至少部分该第一金属层不被该保护层所覆盖；介于该金属凸块及该第一金属层之间，更设置至少一重布线路层，使得该重布线路层在该保护层及该第一金属层之上，且该重布线路层在该金属凸块之下，又其中，该重布线路层的结构包括有：至少一介电层，形成于该保护层及该第一金属层之上，且该介电层覆盖住部分该基板、该保护层以及部分该第一金属层；至少一介电层通孔，贯穿该介电层；以及至少一第二金属层，形成于该介电层之上，使得该第二金属层覆盖住该介电层通孔以及至少覆盖住部分该介电层，且其中至少部分该第二金属层于该介电层通孔的底部与部分该第一金属层相接触，又该金属凸块，形成于该第二金属层之上。