[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310073946.6 | 申请日： | 2013-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103579310B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李昌承;金容诚;李周浩;郑镛席 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：沟道层，包括石墨烯；栅绝缘层，设置在所述沟道层的表面上并且包括氟化石墨烯；栅极，设置为面对所述沟道层，所述栅绝缘层插置在所述栅极与所述沟道层之间；以及源极和漏极，分别电连接到所述沟道层的第一和第二区域。
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