[发明专利]用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方法

摘要

本发明公开了一种用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方法，包括步骤1、ONO结构的刻蚀阻挡层的形成；步骤2、刻蚀阻挡层开孔刻蚀；步骤3、深沟槽刻蚀及栅氧生长；步骤4、栅多晶硅填充及同刻；步骤5、第二层氧化膜刻蚀；步骤6、多晶硅氧化；步骤7、预留部分的氮化膜刻蚀；步骤8、预留部分的第一层氧化膜刻蚀；步骤9、沟槽式接触孔形成。本发明解决了小间距尺寸的沟槽功率绝缘栅场效应晶体管中接触孔对准精度问题，提高工艺可控性，为进一步缩小沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的间距尺寸提供了可行的解决方案。

主权项

一种用于沟槽功率绝缘栅场效应晶体管的自对准工艺方法，其特征在于，包括：步骤1、ONO结构的刻蚀阻挡层的形成，具体为首先使用热氧化工艺在硅衬底上生长第一层氧化膜，然后使用化学气相沉积成长氮化膜，最后使用化学气相沉积成长第二层氧化膜；步骤2、刻蚀阻挡层开孔刻蚀，具体为使用一步干法刻蚀将光刻曝光区域的所述刻蚀阻挡层刻蚀至所述硅衬底表面；步骤3、深沟槽刻蚀及栅氧生长，具体为首先使用干法刻蚀沿所述刻蚀阻挡层打开的区域，刻蚀形成深沟槽，然后使用热氧化工艺在所述深沟槽侧壁成长栅氧；步骤4、栅多晶硅填充及回刻，具体为在所述深沟槽中填入多晶硅，然后回刻所述多晶硅至所述刻蚀阻挡层表面；步骤5、第二层氧化膜刻蚀，具体为使用湿法刻蚀工艺，将第二层氧化膜全部刻蚀掉；步骤6、多晶硅氧化，具体为使用热氧化工艺在突出的所述多晶硅上氧化形成的第三层氧化膜；步骤7、预留部分的氮化膜刻蚀，具体为使用干法刻蚀，将预留部分的氮化膜刻蚀掉；所述预留部分的氮化膜刻蚀以各相邻的所述多晶硅顶部的所述第三层氧化膜为自对准条件；步骤8、预留部分的第一层氧化膜刻蚀，具体为使用干法刻蚀，将预留部分的第一层氧化膜刻蚀掉；所述预留部分的第一层氧化膜刻蚀以各相邻的所述多晶硅顶部的所述第三层氧化膜和位于所述第三层氧化膜底部的所述氮化膜为自对准条件；步骤9、沟槽式接触孔形成，具体为进行沟槽通孔刻蚀，形成沟槽式接触孔；所述沟槽通孔刻蚀以各相邻的所述多晶硅顶部的所述第三层氧化膜和位于所述第三层氧化膜底部的所述氮化膜和所述第一层氧化膜为自对准条件。