[发明专利]IGBT背面结构及制备方法有效
| 申请号： | 201310064612.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103107189A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT背面结构，包括间隔分布的P+集电区、背面金属电极、SiO2保护层；所述SiO2保护层设置于N型基区的背面，SiO2保护层上间隔设置接触孔，所述间隔分布的P+集电区对应接触孔处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极的金属完全填充间隔分布的P+集电区的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区紧密接触。本发明还提供了上述IGBT背面结构的制备方法。本发明用于改善IGBT器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 背面 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT背面结构，其特征在于：包括间隔分布的P+集电区(1)、背面金属电极(2)、SiO2保护层(4)；所述SiO2保护层(4)设置于N型基区(3)的背面，SiO2保护层(4)上间隔设置接触孔(5)，所述间隔分布的P+集电区(1)对应接触孔(5)处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区(1)的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极(2)的金属完全填充间隔分布的P+集电区(1)的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区(1)紧密接触。
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