[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供耐热性、可靠性高并且能够以低成本制造的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置(10)具有安装基板(11)、半导体芯片(12)、接合层(13)以及软质金属层(14b)。半导体芯片(12)通过接合层(13)以及软质金属层(14b)来与安装基板(11)接合。接合层(13)具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金。软质金属层(14b)包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：安装基板；接合在所述安装基板上的半导体芯片；设置在所述安装基板与所述半导体芯片之间的接合层，该接合层具有合金层，该合金层以（A）成分以及（B）成分为主成分来构成，所述（A）成分是选自Sn、Zn、In中的任意一种金属或者Sn、Zn、In的合金，所述（B）成分是选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属或者选自Cu、Ni、Ag、Cr、Zr、Ti、V中的任意一种金属与选自Sn、Zn、In中的任意一种金属的合金；设置在所述接合层与所述半导体芯片之间并且包含选自Cu、Al、Zn、Ag中的任意一种金属的软质金属层；和设置在所述接合层与所述软质金属层之间并且包含选自Ni、Cr、Mo、Ta、V、W中的任意一种金属的扩散阻隔层。