[发明专利]具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法无效
| 申请号： | 201310054863.2 | 申请日： | 2013-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN103117304A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王翠梅;王晓亮;彭恩超;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。本发明可增加对沟道二维电子气的限制作用，提高所研制器件的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 间层 氮化 场效应 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。
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