[发明专利]有机发光器件的制造方法无效
申请号: | 201310049948.1 | 申请日: | 2013-02-08 |
公开(公告)号: | CN103247763A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 伏见正弘;玉木顺也;大塚学;山崎拓郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种能够抑制由脱模层的残余引起的图案化缺陷的有机发光器件的制造方法,所述方法包括:第一有机化合物层形成步骤;第一保护层形成步骤;第二保护层形成步骤;第二保护层处理步骤;第一保护层处理步骤;第一有机化合物层处理步骤;第二有机化合物层形成步骤;以及剥离步骤,其中,还在第二区中形成在第二保护层处理步骤中获得的第二保护层的图案。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光器件的制造方法,所述有机发光器件包括:衬底,其上设置有第一区和第二区,所述第一区是具有多个发光部分的发光区,所述第二区设置在所述第一区的周围;以及分别在对应于所述多个发光部分的区域中形成的第一电极,所述制造方法包括:至少在所述第一区中形成包括第一发射层的第一有机化合物层的第一有机化合物层形成步骤;在其上形成了第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括脱模层的第一保护层的第一保护层形成步骤;在所述第一保护层上形成第二保护层的第二保护层形成步骤;去除所述第二保护层的一部分以获得图案化的第二保护层的第二保护层处理步骤;根据所述第二保护层的图案去除所述第一保护层和所述第一有机化合物层的一部分以获得图案化的第一保护层和图案化的第一有机化合物层的第一保护层和第一有机化合物层处理步骤;在其上形成了图案化的第一有机化合物层的衬底的整个表面上形成包括第二发射层的第二有机化合物层的第二有机化合物层形成步骤;以及使所述脱模层与用于选择性地去除所述脱模层的脱模剂接触,从而至少将所述脱模层连同形成于所述脱模层之上的层一起去除的剥离步骤,其中,还在所述第二区中设置在所述第二保护层处理步骤中从其中去除了所述第二保护层的区域,并且其中,所述第二区中的从其中去除了所述第二保护层的区域之间的间隔的最小值小于或等于第一区内的从其中去除了所述第二保护 层的区域之间的间隔的最小值的100倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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