[发明专利]氮化镓基发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310024710.3 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103094449A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨建健;钟志白;陈顺平;梁兆煊;黄少华;赵志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件制作方法，更具体地说是一种具有高反射系数电流扩展层的氮化镓基发光二极管及其制作方法。该氮化镓基发光二极管，至少包括：氮化镓基外延层，包括n型层、发光层和p型层；电流扩展层，形成于所述p型层的部分表面上，包括Ag反射层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层覆盖在所述Ag反射层上，表面被氧化形成一层氧化物绝缘层，从而起到阻挡电子扩散和扩展电流的作用；氧化物透明导电膜，覆盖所述电流阻挡层和露出的外延层表面；P、N电极，分别连接所述p型层和n型层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化镓基发光二极管的制作方法，包括以下步骤：1）提供一氮化镓基外延片，包括n型层、发光层和p型层；2）在p型层的部分表面上形成Ag反射层和电子阻挡层，其中所述电子阻挡层覆盖在所述Ag反射层上；3）沉积氧化物透明导电层，其覆盖所述电子阻挡层和露出的p型层表面；4）将所述外延片进行退火处理，所述电子阻挡层表面被氧化形成一氧化物绝缘层，从而在所述氧化物透明导电层与p型层之间形成电流扩展层，其包括所述Ag反射层、电子阻挡层和氧化物绝缘层，起到阻挡电子扩散和扩展电流的作用；5）在经过以上处理的外延片上制作P、N电极；6）将所述外延片经研磨减薄并分割成芯粒。
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