[发明专利]在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的方法以及相关装置有效
| 申请号： | 201310020347.8 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103219368B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | G·格拉斯霍夫;C·拉贝尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的方法以及相关装置。在一示例中，本发明的装置包括具有凹入上表面的替代栅极结构，邻近该替代栅极结构的侧间隙壁以及位于该替代栅极结构上方的栅极覆盖层，其中，该栅极覆盖层的底部表面对应该替代栅极结构的该凹入上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 替代 栅极 结构 上方 形成 覆盖层 方法 以及 相关 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在由位于绝缘材料层中的侧间隙壁定义的栅极开口中形成替代栅极结构；在至少该侧间隙壁及该绝缘材料层上执行共同的蚀刻工艺，其中，在完成该共同的蚀刻工艺后，该侧间隙壁的上表面相对该绝缘材料层的上表面凹入；执行第一化学机械抛光工艺，以移除位于该绝缘材料层的该上表面上方的至少部分该替代栅极结构，从而定义抛光替代栅极结构；以及在执行该第一化学机械抛光工艺后，在该抛光替代栅极结构上方形成栅极覆盖层。
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