[发明专利]形成穿过封闭封装件的密封电馈通件的方法及设置有至少一个所述电馈通件的封闭封装件在审
| 申请号： | 201310014933.1 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103208434A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 弗朗索瓦·科尔博 | 申请（专利权）人： | 法国红外探测器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 法国沙特奈*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成穿过封闭封装件的密封电馈通件的方法及设置有至少一个所述电馈通件的封闭封装件。所述用于形成穿过封闭封装件、特别是通过用于电子部件、光学部件或光电部件的封闭封装件的密封电馈通件的方法包括：在封装件壁的一个壁以及有利地在所述封装件的底部中形成贯通开口；以及在该开口上焊接由共烧陶瓷制成的、电连接件从中穿过的板。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 穿过 封闭 封装 密封 电馈通件 方法 设置 至少 一个 述电馈通件 | ||
【主权项】：
一种用于形成穿过封闭封装件、特别是穿过用于电子部件、光学部件或光电部件的封闭封装件的密封电馈通件的方法，包括：在封装件壁之一以及有利地在所述封装件的底部(20)中形成贯通开口(31)；以及在所述开口上钎焊由共烧陶瓷制成的、电连接件从中通过的板(30)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国红外探测器公司，未经法国红外探测器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310014933.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
