[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置无效

专利信息
申请号: 201310014811.2 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103794518A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 山口胜启 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置,该半导体装置的可靠性高且具有使电浮的金属板在塑模层的一面露出的结构。接合时作为下层的第一树脂层的硬化度被设定为比作为上层的第二树脂层的硬化度高。硬化度的上升率被设定为第二树脂层(16)比第一树脂层(15)大。在接合步骤的时刻,硬化度低的第二树脂层先完全硬化,第一树脂层之后完全硬化。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,制造如下的半导体装置:其被构成为,将上表面搭载有半导体芯片的金属板的下表面经由绝缘层接合于散热板的上表面,利用塑模树脂体对所述半导体芯片、所述金属板和所述散热板进行密封,所述绝缘层至少具备设于所述散热板侧的第一树脂层和设于所述金属板侧的第二树脂层,该制造方法的特征在于包括:接合步骤,形成散热板结构体,该散热板结构体是通过如下方式得到的:隔着所述第一树脂层和所述第二树脂层对所述金属板和所述散热板进行固定,夹着硬化度相对高的所述第一树脂层和硬化度相对低的所述第二树脂层而对所述金属板和所述散热板进行接合;和硬化步骤,对所述散热板结构体的所述第一树脂层和所述第二树脂层实施热处理,使所述第一树脂层和第二树脂层完全硬化,在所述硬化步骤中,使所述第二树脂层比所述第一树脂层更快地完全硬化。
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