[发明专利]一种沟槽DMOS器件及其制作方法

摘要

一种沟槽型DMOS器件及其制作方法，该DMOS器件中将栅极沟槽从位于衬底上方的介质层中开始往衬底延伸，使得栅极多晶硅的有效截面积增加，从而减少了栅极电阻Rg。同时在本发明的制作方法中，由于在沟槽刻蚀之前就已经覆盖了介质层，因而取消了原先的源极注入工艺，转而将该源注入工艺和导电通孔在一次光刻中进行，减少了一步光刻，从而使得整个工艺更加简单。

主权项

一种沟槽型DMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，该衬底作为所述器件的公共漏极区；形成于所述衬底中的具有第二导电类型的有源区；在所述衬底上的第一介质层；以所述第一介质层表面延伸到所述衬底的多个沟槽，该多个沟槽包括相互连通的分布在所述有源区的至少一个第一沟槽和位于有源区外的第二沟槽；填充于该多个沟槽中的导电材料；设于所述导电材料和沟槽槽壁之间的氧化层；位于有源区内邻近所述第一沟槽的源极区；覆盖所述第一介质层和多个沟槽的第二介质层；覆盖所述第二介质层上的金属层，该金属层包括彼此绝缘的第一电极区和第二电极区，所述第一电极区通过贯穿第一介质层和第二介质层的第一导电柱与所述源极区进行电连接，形成源极；所述第二电极区通过贯穿第二介质层的第二导电柱与所述第二沟槽中的导电材料进行电连接，形成栅极。