[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201280042389.5 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103765616A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | K.佩尔茨尔迈尔;K.格尔克;R.瓦尔特;K.恩格尔;G.魏斯;M.毛特;S.拉梅尔斯贝格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4）。在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地具有反射膜层（5），该反射膜层包含银。在所述反射膜层（5）上布置有保护层（6），所述保护层（6）具有透明导电氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
带有半导体层序列（2）的发光二极管芯片（1），所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射（13）的有源层（3），其中‑该发光二极管芯片（1）在前侧上具有辐射出射面（4），‑在与辐射出射面（4）相对的背侧上，发光二极管芯片（1）至少局部地具有反射膜层（5），该反射膜层包含银，‑在所述反射膜层（5）上布置有保护层（6），并且‑所述保护层（6）具有透明导电氧化物。
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