[发明专利]电流孔径垂直电子晶体管无效
| 申请号： | 201280030607.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103608923A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | S·乔杜里;R·耶鲁里;C·胡尔尼;U·K·米什拉;I·本-雅各布 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/338 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电流孔径垂直电子晶体管（CAVET），其具有基于氨（NH3）的分子束外延（MBE）生长的p型氮化镓（p-GaN）作为电流阻挡层（CBL）。具体地，所述CAVET特征在于用于电流阻挡目的的有源掩埋的镁（Mg）掺杂的GaN层。这种结构对高功率开关应用并对需要掩埋的有源p-GaN层进行其功能的任何器件是非常有利的。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 孔径 垂直 电子 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其包括：电流孔径垂直电子晶体管（CAVET），其包括在III族氮化物电流阻挡层中的孔径区，其中对通过所述III族氮化物电流阻挡层的电子流的势垒是至少1电子伏特。
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