[实用新型]CMOS场效应管的阈值电压生成电路有效
| 申请号： | 201220746650.7 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN203133655U | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 成都锐成芯微科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种CMOS场效应管阈值电压生成电路，所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3，所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压，所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号，所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。本实用新型采用简易电路结构实现了CMOS场效应管阈值电压的高精度提取。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 场效应 阈值 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS场效应管阈值电压生成电路，其特征在于：所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3，所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压，所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号，所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。
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