[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201220568206.0 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN202917488U | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张磊;李铁生;马荣耀 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/098 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)，其中所述MOSFET包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区，所述JFET包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区，其中，所述JFET的栅区与所述MOSFET的源区在衬底中电接触，所述JFET的漏区与所述MOSFET的漏区包括衬底的相同部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
