[实用新型]一种具有超大离子束发散角的离子源有效

专利信息
申请号: 201220376962.3 申请日: 2012-08-01
公开(公告)号: CN202705458U 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;杭凌侠;弥谦;严一心 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种用在光学真空镀膜机(离子束辅助沉积设备)或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源,特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。其技术方案是:包括气体放电室,气体放电室的一端设置有绝缘端盖,绝缘端盖外部设置有聚焦磁场产生单元和磁场扫描单元。本实用新型通过一组正交的磁场,对引入磁场中的离子束方向进行控制,通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律,可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小,就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比,本实用新型的优点是:1.离子源输出的离子束发散角可达180°;2.离子束发散角可以根据实际需要进行调节,可满足不同薄膜沉积过程的需要;3.离子束流密度的均匀性好。
搜索关键词: 一种 具有 超大 离子束 发散 离子源
【主权项】:
一种具有超大离子束发散角的离子源,包括气体放电室(10),气体放电室(10)的一端设置有绝缘端盖(9),绝缘端盖(9)的中部设置有离子束出孔,其特征在于:绝缘端盖(9)外部设置有聚焦磁场产生单元(1)和磁场扫描单元,聚焦磁场产生单元(1)的中部设置有离子束过孔;所述磁场扫描单元包括从下向上依次设置的下盖板(3)、中盖板(5)及上盖板(7),所述下盖板(3)与中盖板(5)之间设置有一对横向磁极(4),横向磁极(4)的磁极两端分别连接横向电磁线圈(8);所述中盖板(5)与上盖板(7)之间设置有一对纵向磁极(6)、纵向磁极(6)的两端分别连接纵向电磁线圈(11),所述聚焦磁场产生单元(1)和磁场扫描单元的下盖板(3)之间设置有磁屏蔽板(2),磁屏蔽板(2)的中部设置有离子束过孔;所述下盖板(3)正中心设置有离子束入射孔,中盖板(5)及上盖板(7)正中心设置有离子束出射孔,所述离子束出射孔直径大于下盖板(3)到上盖板(7)的总高度的2倍再加上离子束入射孔直径之和。
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  • 本发明公开一种四靶双离子束溅射镀膜装置,包括机架、真空镀膜室、主离子源、辅离子源、旋转靶座和可加热、旋转及前后移动的基片架,所述真空镀膜室装设于机架上,所述主离子源、辅离子源、旋转靶座和基片架均设于真空镀膜室内,所述主离子源的发射口对准旋转靶座,所述基片架夹设有基片,所述辅离子源的发射口对准装设于基片架上的基片,所述旋转靶座上安装有四种不同的靶材,所述旋转靶座的中心线与基片架的中心线相互叠合。本发明能提高镀膜质量,有效提高沉积效率,方便制备多种材料的多层薄膜;本发明能镀制任意材料,尤其适合蒸气压高的金属和化合物及高熔点材料的镀制,可应用于微电子、光电、超导、类金刚石等新材料研究领域。
  • 一种霍尔离子源气路结构-201820569952.9
  • 薛照明;李围红;薛海 - 成都金雅克电气有限公司
  • 2018-04-20 - 2018-11-23 - C23C14/46
  • 本实用新型公开了一种霍尔离子源气路结构,涉及真空镀膜技术领域,包括依次连接的进气装置、缓冲装置以及反应腔,所述缓冲装置包括上、下设置的气体分配器和陶瓷碗,所述陶瓷碗和气体分配器均为圆盘状,所述陶瓷碗的上表面设置有环形减压腔,其环形减压腔上设置有通气孔,所述通气孔与进气装置连接,所述气体分配器沿圆心均匀设置有多个出气孔,多个所述出气孔与反应腔接通,通过对气体进入反应室的线路进行规划,解决了现有技术中增加反应气体离化效率度的同时降低了真空度的技术问题。
  • 一种提高光学器件激光损伤阈值和面形的IAD镀制方法-201710270559.X
  • 杨波;魏清晨 - 青岛韬谱光学科技有限公司
  • 2017-04-24 - 2018-11-13 - C23C14/46
  • 本发明属于光学镀膜技术领域,具体指一种同时提高IAD镀制高反光学薄膜激光损伤阈值和面形的镀制方法。其包括(1)基片加工,以紫外融石英为基片,通过水域超光滑抛光技术完成基片加工,使基片达到如下要求:粗糙度Ra值优于2埃,面型优于λ/15,光洁度优于10/5。(2)基片清洗,将步骤1中得到的基片放入超声波清洗原液中浸泡,取出后采用去离子水冲洗,然后用连续超声波槽进行超声波清洗,之后缓慢拉出水后,采用射灯烘烤,再用酒精乙醚试剂擦拭干净,放入真空室待镀。本发明大幅度提高激光损伤阈值和面形,而且所镀制的膜层致密好、吸收小、散射小、操作方法简单、产品指标稳定。
  • 一种离子束沉积制备CN薄膜的方法-201810560534.8
  • 沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 - 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
  • 2018-06-04 - 2018-10-12 - C23C14/46
  • 本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底,去除衬底表面油污与杂质;S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机,离子束沉积设备采用C靶,将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内,以氩离子轰击C靶;同时,开启离子注入机,注入N离子,在衬底表面得到CN薄膜;C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制,N离子源的提供由离子注入机完成,整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作,不相互干扰;C与N的简单的进行反应得到CN薄膜,无其它离子存在,工艺简单,可控性较强。
  • 应用于压铸料筒工作带表面的纳米复合涂层及制备方法-201810363695.8
  • 孟铁军 - 无锡德瑞致远新材料科技有限公司
  • 2018-04-23 - 2018-09-07 - C23C14/46
  • 本发明公开了应用于压铸料筒工作带表面的纳米复合涂层及其制备方法属于型材制作料筒表面强化技术领域。所述纳米复合涂层TiAlN和TiAl多层纳米复合结构涂层。本发明中TiAlN和TiAl纳米子涂层均为采用离子束辅助沉积镀膜方法制备。本发明的压铸料筒涂层兼顾了TiAlN硬质涂层的高硬度和金属TiAl软金属涂层的韧性的特点,既可提高压铸料筒表面涂层的硬度,又可提高压铸料筒表面涂层的整体强度和耐冲击性,显著提高涂层压铸料筒的耐磨性以及高温抗氧化性,延长压铸料筒的使用寿命。
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