[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201220341907.0 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN202888184U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 鸟居克行 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，在其沟槽间，形成有凹陷部，使得射极区域和第1导电型的基极区域露出，凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部构成，凹陷部具有在第1凹陷部的底部的内侧设置有比第1凹陷部的宽度窄的第2凹陷部的结构。通过本实用新型的2阶段的凹陷部的结构，使得其栅极沟槽结构不易折断。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其具有：半导体衬底，其具有第1主面以及第2主面并且在所述第1主面上还具有多个沟槽；射极电极，其配置在所述第1主面上；集电极电极，其配置在所述第2主面上；绝缘膜，其配置在所述沟槽的壁面上；栅极电极，其配置在所述沟槽中；以及层间绝缘膜，其形成在所述沟槽上方，并处于所述射极电极和所述沟槽间，其特征在于，所述半导体衬底具有：第1导电型的集电极区域，其配置成在所述第2主面上露出；第2导电型的漂移区域，其配置在所述集电极区域的上方；第1导电性的基极区域，其配置在所述第2导电型的漂移区域的上方；以及第2导电型的射极区域，其邻接配置在与所述第1导电型的基极区域并且在所述第1主面上露出，所述沟槽具有比从所述第1主面起到所述第1导电型的基极区域的下部更深的深度，在所述沟槽间，形成凹陷部，使得所述射极区域和所述第1导电型的基极区域露出，所述凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部构成，所述凹陷部具有在所述第1凹陷部的底部的内侧设置有比所述第1凹陷部的宽度窄的第2凹陷部的结构。
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