[发明专利]一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201210586412.9 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103065972A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 平山秀雄;邱勇;施露;张洁;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电子器件领域，具体涉及一种采用激光退火的工艺得到的金属氧化物薄膜，及其在TFT中和OLED器件中的应用。本发明所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，包括（1）制备以ZnO为基础并加入其他金属元素形成的金属氧化物薄膜；（2）将步骤（1）中得到的金属氧化物薄膜在含氧气氛下进行激光退火程序3-6min，形成所需的金属氧化物半导体薄膜。本发明所述的薄膜的半导体性能，如迁移率和阈值电压的稳定性大幅提高，因此相比传统的使用高温退火炉退火的方式效率更高，且稳定性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）制备以ZnO为基础并加入其他金属元素形成的金属氧化物薄膜；（2）将步骤（1）中得到的金属氧化物薄膜在含氧气氛下进行激光退火程序3‑6min，形成所需的金属氧化物半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
