[发明专利]一种铁酸铽p-n异质结、制备方法及应用有效
申请号: | 201210578772.4 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103066108A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李培刚;李文丽;吴德胜;董大银;宋佳;王顺利;沈静琴 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | H01L29/24 | 分类号: | H01L29/24;H01L29/861;H01L21/34;C30B29/22;C30B29/24;C30B29/32;C30B23/00;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人: | 陈小良 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法,具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO3)的p-n异质结、制备方法及其应用。本发明是由p型多铁材料TbFeO3和n型导电材料Sr0.99Nb0.01TiO3构成,其制备方法是采用射频磁控溅射沉积技术在衬底Sr0.99Nb0.01TiO3上沉积TbFeO3薄膜得到的,通过固相烧结法制备TbFeO3靶材、衬底清洗、射频磁控溅射沉积薄膜的过程。本发明的优点是在室温下具有良好的二极管正向整流特性,且制备方法简单、可重复性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 铁酸铽 异质结 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种铁酸铽p‑n异质结,其特征在于:铁酸铽p‑n异质结由p型半导体材料铁酸铽TbFeO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
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