[发明专利]光刻对准标记的放置方法无效
| 申请号： | 201210567698.6 | 申请日： | 2012-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103901740A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻对准标记的放置方法，步骤包括：1）将所有光刻对准标记集成在掩膜上的图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版；2）算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标；3）根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形；4）用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域；5）后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。本发明将光刻对准标记集成后放置在晶圆上的几个特别区域，利用shot的平移实现光刻对准，该方法不受切割线大小的限制，因此解决了切割线尺寸变小后的对准标记放置问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 放置 方法 | ||
【主权项】：
光刻对准标记的放置方法，其特征在于，步骤包括：1）在掩膜上设计一个专门放置光刻对准标记的图形区域，将光刻所需的所有对准标记集成在一起，做成集成图形，放置在该图形区域内，和当层的主图形一起制成光刻版；2）算出各光刻对准标记相对集成图形中心的坐标；3）根据晶格的大小，在晶圆上选择多个特别区域用来放置集成图形；4）用曝光机台将光刻版上的集成图形成像到晶圆中的特别区域；5）后层光刻时，平移上层的集成图形进行对准。
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