[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供第III族氮化物半导体器件及其制造方法。本发明提供的第III族氮化物半导体器件旨在松弛施加到发光层的应力。所述发光器件包括MQW层和形成在MQW层下方的n侧超晶格层。n侧超晶格层是通过重复地沉积层单元形成的，其中每个单元包括从蓝宝石衬底一侧依次沉积的InGaN层、GaN层和n-GaN层。在n侧超晶格层中，较靠近MQW层的InGaN层具有较高的In组成比。n侧超晶格层的InGaN层(其最靠近MQW层)的In组成比是MQW层的InGaN层(其最靠近n侧超晶格层)的In组成比的70％至100％。

主权项

一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：由第III族氮化物半导体形成的底层；形成在所述底层上的应变松弛层；以及形成在所述应变松弛层上的发光层，其中所述发光层是通过沉积势垒层和含In的阱层形成的；所述应变松弛层由包括三个或更多个层单元的超晶格层形成，每个单元包括至少InGaN层和GaN层；以及在所述层单元中，较靠近所述发光层的层单元包括具有较高的In组成比的InGaN层，并且最靠近所述发光层的层单元包括具有In组成比为所述发光层的所述阱层的In组成比的70％至100％的InGaN层。