[发明专利]银耦合增强GaN基发光二极管的器件结构及制备方法无效
| 申请号： | 201210526477.4 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102969423A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 党随虎;长江师范学院;太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 重庆市涪*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种Ag耦合增强GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底层；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底层上；第一Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作在蓝宝石衬底层内靠近n型GaN层与蓝宝石衬底层间界面一侧，利用表面等离子体耦合导出局限在器件内部波导模，减少全反射提高光取出效率；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上；一p型GaN层,该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；第二Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作在p型GaN层内靠近多量子阱有源层一侧，利用Ag表面等离子体高局域场特性，来提高材料的辐射跃迁几率；一金属Al薄膜层，该Al薄膜层制作在第二Ag光栅结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 增强 gan 发光二极管 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型银耦合增强GaN基发光二极管器件结构，包括:一蓝宝石衬底层；第一Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作于蓝宝石衬底层内，该Ag光栅结构到n型GaN层与蓝宝石衬底层间界面距离为5~10 nm；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上；一p型GaN层，该p型GaN层制作在多量子阱有源层上，该p型GaN层的厚度是10~15 nm；第二Ag光栅结构，该Ag光栅结构制作于p型GaN层内，该Ag光栅结构到多量子阱有源层的距离为5~10 nm；一金属Al薄膜层，该Al薄膜层制作在第二Ag光栅结构上，该Al薄膜层的厚度为15 ~30 nm。
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