[发明专利]磁器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210523694.8 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151456A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李学善;渡嘉敷健;金明哲;权亨峻;李相旻;李佑澈;郑明勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了磁器件及其制造方法。该磁器件包括具有至少一个磁层的堆叠结构，该堆叠结构利用包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体的蚀刻气体来蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造磁器件的方法，所述方法包括：通过使用蚀刻气体来蚀刻包括至少一个磁层的堆叠结构，所述蚀刻气体包括至少70体积百分比的含氢气体和至少2体积百分比的CO气体。
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