[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

实施方式所涉及的非易失性半导体存储装置具备：单元阵列，其具有：相互交叉的位线及源线；使多个存储单元串联连接而成的单元串，所述存储单元包括配置于位线及源线间且具有控制栅及电荷蓄积层的晶体管；连接于单元串的各存储单元的控制栅的字线；以及数据写入部，其在数据写入时，反复执行写入循环，写入循环包括对选择的字线施加编程电压并且对其他的非选择的字线施加通过电压的编程工作；在将第n次写入循环中使用的通过电压与第n+1次写入循环中使用的通过电压的差表示为ΔVn的情况下，在L

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：单元阵列，其具有：相互交叉的位线及源线；使多个存储单元串联连接而成的单元串，所述存储单元包括配置于前述位线及源线间且具有控制栅及电荷蓄积层的晶体管；以及连接于前述单元串的各存储单元的控制栅的字线；以及数据写入部，其在数据写入时，反复执行写入循环，所述写入循环包括对选择的前述字线施加编程电压并且对其他的非选择的前述字线的任一条施加通过电压的编程工作；其中，在将第n次写入循环中使用的前述通过电压与第n+1次写入循环中使用的前述通过电压的差表示为ΔVn的情况下，在L

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