[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201210517334.7 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151234A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了等离子体处理装置及等离子体处理方法，该等离子体处理装置包括：（1）腔室，其被电介质部件包围，且具备作为等离子体喷出口的开口部；（2）气体供给配管，其向腔室内部导入气体；（3）螺线管线圈，其配置在腔室附近；（4）高频电源，其连接于螺线管线圈，且具备脉冲调制功能；以及（5）基材载置台，其配置在等离子体喷出口侧。根据该等离子体处理装置，能够稳定地生成等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
等离子体处理装置，包括：腔室，其被电介质部件包围，且具备作为等离子体喷出口的开口部；气体供给配管，其向所述腔室内部导入气体；螺线管线圈，其配置在所述腔室附近；高频电源，其连接于所述螺线管线圈，且具备脉冲调制功能；以及基材载置台，其配置在所述等离子体喷出口侧。
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