[发明专利]一种自对准硅化物晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210507600.8 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102938419B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管，包括一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。根据本发明的具有自对准硅化物的晶体管，可以实现在进一步减小接触电阻的同时避免源漏节被贯穿的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 硅化物 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有自对准硅化物的晶体管，包括：一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，所述依次层叠金属氮化物层和金属层覆盖部分所述第一自对准硅化物层，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。
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