[发明专利]一种共阳极小功率可控硅模块及其制作工艺无效
| 申请号： | 201210469324.0 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102969293A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 潘建英;伍林;左亚兵 | 申请（专利权）人： | 宜兴市环洲微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 徐冬涛 |
| 地址： | 214205 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架（1）和可控硅芯片（2），可控硅芯片（2）构成芯片组（3）焊接在引线框架（1）上，可控硅芯片（2）下侧面的阳极朝向引线框架（1），可控硅芯片（2）上侧面的阴极和控制极分别通过连线（4）与对应的引脚（5）焊接相连；上述引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的外侧设有覆盖保护的环氧料（6）。其制作工艺如下：芯片组（3）焊接在引线框架（1）上后用连线（4）将每个可控硅芯片（2）的阴极、控制极与对应的引脚（5）焊接相连；最后用环氧料（6）对引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）进行覆盖保护，制成共阳极小功率可控硅模块。本发明效率高且成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 功率 可控硅 模块 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种共阳极小功率可控硅模块，包括引线框架（1）和可控硅芯片（2），其特征在于所述的可控硅芯片（2）构成芯片组（3）焊接在引线框架（1）上，可控硅芯片（2）下侧面的阳极朝向引线框架（1），可控硅芯片（2）上侧面的阴极和控制极分别通过连线（4）与对应的引脚（5）焊接相连；上述引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的外侧设有覆盖保护引线框架（1）、芯片组（3）和连线（4）的环氧料（6）。
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