[发明专利]铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法有效
| 申请号： | 201210467084.0 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102931230A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;彭恩超;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。本发明可以显著提高沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力，遏制缓冲层的漏电，同时降低势垒层的晶格应变，减少缺陷密度，提高器件工作的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 铝镓氮做高阻层 双异质结 氮化 hemt 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面，该成核层的厚度为0.01‑0.50μm；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，该氮化铝插入层厚度为0.7‑5nm；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层，该非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，该非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层的厚度为1‑5nm。
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