[发明专利]用于双向高压ESD防护的双载子晶体管

摘要

本发明公开了一种EPI工艺以新式应用低压架构用于双向高压ESD防护的双向双载子晶体管(BJT)。一种双向静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)防护装置可包括一衬底、一N+掺杂埋层、一N型阱区以及两个P型阱区；该N+掺杂埋层可以被沉积为邻近于该衬底；该N型阱区可能围绕该两个P型阱区，使得该N型阱区的一部分介于该两个P型阱区之间；该两个P型阱区可以被沉积为邻近于该N+掺杂埋层，并包括一或多个N+掺杂板以及一或多个P+掺杂板。

主权项

一种双向双载子晶体管(BJT)，包括：一p型衬底；一N+掺杂埋层，其被沉积为邻接于该衬底；一第一P型阱区，其被沉积为邻接于该N+掺杂埋层；一第二P型阱区，其被沉积为相邻于该N+掺杂埋层；以及一N型阱区域，其相邻于该N+掺杂埋层且围绕该第一与第二P型阱区，使得该N型阱区域的至少一部分是介于该第一与第二P型阱区之间；其中该第一与第二P型阱中的每一个都包括至少一N+掺杂板与至少一P+掺杂的板。