[发明专利]封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201210425205.5 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN103515342B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 余振华;吴俊毅;王宗鼎 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种器件,该器件包括第一封装部件和第二封装部件。第一封装部件包括位于第一封装部件顶面处的第一多个连接件以及位于该顶面处的第二多个连接件。第二封装部件位于第一多个连接件上方并且与第一多个连接件接合,其中,第二多个连接件未接合至第二封装部件。阻焊剂位于第一封装部件的顶面上。沟槽设置在阻焊剂中,其中,阻焊剂的部分将第二多个连接件与第一多个连接件间隔开。本发明还提供了封装结构及其形成方法。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体封装器件,包括:第一封装部件,包括:第一多个连接件,位于所述第一封装部件的顶面处;和第二多个连接件,位于所述顶面处;第二封装部件,位于所述第一封装部件上方并与所述第一封装部件接合,其中,所述第二多个连接件未接合至所述第二封装部件;阻焊剂,位于所述第一封装部件的所述顶面上,并且暴露所述第二多个连接件,其中,位于所述第一封装部件和所述第二封装部件之间的间隙没有所述阻焊剂;以及沟槽,位于所述阻焊剂中,所述沟槽的一部分将所述第二多个连接件与所述第一多个连接件间隔开以用作所述第一封装部件和所述第二封装部件之间分配的底部填充物的阻挡件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210425205.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。