[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210410349.3 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103117281A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 梁在郁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L29/423;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周晓雨;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明实施例的一种半导体存储器件包括：隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在半导体衬底之上；浮栅，所述浮栅形成在隧道绝缘层之上；电介质层，所述电介质层形成在浮栅之上；以及控制栅，所述控制栅包括形成在电介质层之上的第三硅层、形成在第三硅层之上的第四硅层、以及形成在第四硅层之上的导电层，其中，第四硅层具有比第三硅层更大的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在半导体衬底之上；浮栅，所述浮栅形成在所述隧道绝缘层之上；电介质层，所述电介质层形成在所述浮栅之上；以及控制栅，所述控制栅包括形成在所述电介质层之上的第三硅层、形成在所述第三硅层之上的第四硅层、以及形成在所述第四硅层之上的导电层，其中，所述第四硅层具有比所述第三硅层更大的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
