[发明专利]太赫兹肖特基二极管有效
| 申请号： | 201210382875.3 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102903761A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 王昊 | 申请（专利权）人： | 王昊 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京思睿峰知识产权代理有限公司 11396 | 代理人： | 龚海军 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太赫兹肖特基二极管，包括砷化镓半导体衬底、在砷化镓半导体衬底上依次形成的高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层、形成在高浓度掺杂砷化镓层上的欧姆接触阴极和欧姆接触金属、形成在低浓度掺杂砷化镓层上的肖特基接触阳极、形成在欧姆接触阴极上的欧姆接触阴极压点、形成在欧姆接触金属上的肖特基接触阳极延伸压点、形成在二氧化硅层和肖特基接触阳极上的悬空电镀桥，肖特基接触阳极延伸压点通过悬空电镀桥与肖特基接触阳极相连。本发明的肖特基二极管减小了寄生效应，降低了存在于n+GaAs中的热电子噪声，降低了阳极压点到悬空电镀桥的不连续性，降低了二极管的串联电阻，易于使用倒装焊实现与外围电路的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种太赫兹肖特基二极管，包括：砷化镓半导体衬底(11)；形成在砷化镓半导体衬底(11)上的高浓度掺杂砷化镓层(12)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的低浓度掺杂砷化镓层(13)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触阴极(22)；形成在高浓度掺杂砷化镓层(12)上的欧姆接触金属(23)；形成在所述的低浓度掺杂砷化镓层(13)上的二氧化硅层(14)，在二氧化硅层(14)开有小孔，肖特基接触阳极(21)位于小孔中，肖特基接触阳极(21)与低浓度掺杂砷化镓层(13)接触形成肖特基结；形成在欧姆接触阴极(22)上的欧姆接触阴极压点(25)；形成在欧姆接触金属(23)上的肖特基接触阳极延伸压点(24)；形成在二氧化硅层(14)和肖特基接触阳极(21)上的悬空电镀桥(26)，肖特基接触阳极延伸压点(24)通过悬空电镀桥(26)与肖特基接触阳极(21)相连。
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