[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：基板，其具有第一导电层和比第一导电层布置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与第一导电层和第二导电层重叠的开口，使得第一导电层在大直径凹部的底部的部分露出；小直径凹部，其从大直径凹部延伸并挖掘至大直径凹部的底部而形成，使得第二导电层在小直径凹部的底部露出；以及导电部件，其设置于由大直径凹部和小直径凹部构成的连接孔中以将第一导电层和第二导电层连接。本发明可以防止比第二导电层设置为更浅的第一导电层受到过度蚀刻，于是确保了第一导电层的恰当导电性以及第一导电层和填充部件之间的恰当连接。因此，可实现半导体装置的产率提高。

主权项

一种半导体装置，其包括：基板，其具有第一导电层和比所述第一导电层设置为更深的第二导电层；大直径凹部，其在基板的主面侧具有尺寸与所述第一导电层和所述第二导电层重叠的开口，所述第一导电层在所述大直径凹部的底部的部分露出；小直径凹部，其从所述大直径凹部延伸并通过挖掘至所述大直径凹部的底部而形成，所述第二导电层在所述小直径凹部的底部露出；以及导电部件，其设置于由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中以将所述第一导电层和所述第二导电层连接。