[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该方法包括：

在基板中形成第一导电层和在所述第一导电层下方的第二导电层；

形成大直径凹部，所述大直径凹部被配置成仅露出所述第一导电层的上表面；

形成小直径凹部，所述小直径凹部被配置成穿过所述大直径凹部的底部，并且仅露出所述第二导电层的上表面；

形成所述大直径凹部，其中仅所述第一导电层的所述上表面在所述大直径凹部的底部露出；

形成所述小直径凹部，其中仅所述第二导电层的所述上表面在所述小直径凹部的底部露出；

形成大直径抗蚀剂图形，所述大直径抗蚀剂图形具有仅使得所述第一导电层和所述第二导电层的上部露出的开口，其中将所述大直径抗蚀剂图形用作掩模以形成所述大直径凹部；

形成小直径抗蚀剂图形，所述小直径抗蚀剂图形在形成有所述大直径凹部的范围内具有仅使得所述第二导电层的上部露出的开口，其中将所述小直径抗蚀剂图形用作掩模以形成所述小直径凹部，

其中，在所述基板上方隔着硬掩模层以形成所述大直径抗蚀剂图形，

在形成所述大直径凹部前，通过将所述大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻、对所述硬掩模层进行图形化以形成硬掩模，并且

接下来，通过将所述小直径抗蚀剂图形用作掩模而将所述基板蚀刻至不会露出所述第二导电层的深度、接着除去所述小直径抗蚀剂图形并从所述硬掩模上方进行蚀刻以露出所述第二导电层、从而形成所述小直径凹部，同时形成所述大直径凹部以使得所述第一导电层在所述大直径凹部中露出。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在将所述小直径抗蚀剂图形用作掩模以蚀刻所述基板时，使得所述第二导电层上方的所述小直径凹部的未蚀刻厚度与所述第一导电层上方的所述大直径凹部的未蚀刻厚度一致。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在通过将所述大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻、对所述硬掩模层进行图形化以形成所述硬掩模后，将所述基板蚀刻至不会露出所述第一导电层的深度。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基板在所述第一导电层上包括层间绝缘膜和半导体层；并且

在将所述大直径抗蚀剂图形用作掩模以进行蚀刻、对所述硬掩模层进行图形化以形成所述硬掩模后，将所述层间绝缘膜用作蚀刻阻挡层以蚀刻所述半导体层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述大直径凹部和所述小直径凹部后，在由所述大直径凹部和所述小直径凹部构成的连接孔中形成仅连接至所述第一导电层的所述上表面和所述第二导电层的所述上表面的导电部件。