[发明专利]具有可控反向二极管的功率晶体管有效
| 申请号： | 201210353441.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103117295A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 弗朗茨·赫尔莱尔;马丁·费尔德特克勒;卢茨·约尔根斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及具有可控反向二极管的功率晶体管。其中，一种电子电路包括可以在反向操作模式下操作的晶体管器件以及控制电路。该晶体管器件包括源区、漏区、本体区以及漂移区、与源区电连接的源电极、在本体区和漂移区之间形成的pn结、邻近本体区并与本体区介电绝缘的栅电极、以及邻近漂移区的耗尽控制结构。该耗尽控制结构具有控制端子并被配置为根据控制端子接收的驱动信号在漂移区中生成耗尽区。控制电路与耗尽控制结构的控制端子耦接并被配置为当晶体管器件在反向操作模式下操作时驱动耗尽控制结构以生成耗尽区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可控 反向二极管 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电子电路，包括可以在反向操作模式下操作的晶体管器件以及控制电路，所述晶体管器件包括：源区、漏区、本体区以及漂移区；电连接至所述源区的源电极；在所述本体区和所述漂移区之间形成的pn结；邻近所述本体区并与所述本体区介电绝缘的栅电极；以及邻近所述漂移区的耗尽控制结构，所述耗尽控制结构具有控制端子并被配置为根据所述控制端子接收的驱动信号在所述漂移区中生成耗尽区；并且其中，所述控制电路耦接至所述耗尽控制结构的控制端子，并被配置为当所述晶体管器件在反向操作模式下操作时驱动所述耗尽控制结构以生成所述耗尽区。
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