[发明专利]金属栅极制作方法

摘要

本发明揭露了一种金属栅极的制作方法，所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有栅极介质层以及位于所述栅极介质层上的虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构和栅极介质层侧壁形成有间隙壁；去除部分所述间隙壁和虚拟栅极结构，形成沟槽；进行物理气相沉积工艺形成金属层以填充所述沟槽；进行化学机械研磨工艺去除所述介质层上的金属层，形成金属栅极结构。所述制造方法可以形成较大的沟槽开口，避免了金属层沉积填充不完全影响器件的功能和可靠性。

主权项

一种金属栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有栅极介质层以及位于所述栅极介质层上的虚拟栅极结构，所述虚拟栅极结构和栅极介质层侧壁形成有间隙壁；去除部分所述间隙壁，形成一开口，所述开口暴露出部分所述介质层的侧壁；去除虚拟栅极结构，形成沟槽；去除部分所述间隙壁之后，去除所述虚拟栅极结构之前，或，去除部分所述间隙壁之前，在所述介质层上形成掩膜层；形成所述掩膜层之后，且去除虚拟栅极结构之前或之后，还去除部分所述介质层，直至剩余的介质层与所述开口底部齐平；进行物理气相沉积工艺形成金属层以填充所述沟槽；以及进行化学机械研磨工艺去除所述介质层上的金属层，形成金属栅极结构。