[发明专利]沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路在审
| 申请号： | 201210313105.3 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800704A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路。根据本发明的沟槽式MOS晶体管包括：依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端，其中多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在多晶硅栅侧面及底面包围有栅氧化层；并且该沟槽式MOS晶体管还包括形成在衬底背面的漏端；其中，在所述多晶硅栅的与所述沟槽同平面的表面上形成有多晶硅栅金属硅化物层。根据本发明沟槽式MOS晶体管通过在多晶硅栅表面添加一层多晶硅栅金属硅化物层，有效地降低了栅极结构的电阻，从而降低了功耗，尤其是当沟槽式MOS晶体管被用作功率器件时的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 及其 制造 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOS晶体管，其特征在于包括：依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端，其中多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在多晶硅栅侧面及底面包围有栅氧化层；并且该沟槽式MOS晶体管还包括形成在衬底背面的漏端；其中，在所述多晶硅栅的与所述沟槽同平面的表面上形成有多晶硅栅金属硅化物层。
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