[发明专利]高K金属栅极器件的接触件

摘要

一种制造集成电路的方法，包括：提供具有高k介电层的衬底，并且将多晶硅栅极结构设置在高k介电层上方。对邻近多晶硅栅极结构的衬底实施掺杂工艺，此后，去除多晶硅栅极结构并且利用金属栅极结构进行替换。将层间介电层(ILD)沉积在金属栅极结构和掺杂衬底上方，并且通过干式蚀刻工艺在ILD中形成到达金属栅极结构的顶面的沟槽。在干式蚀刻工艺之后，通过湿式蚀刻工艺形成邻近金属栅极结构的顶面的底部切口。然后，利用导电材料填充沟槽和底部切口。本发明还提供了一种高K金属栅极器件的接触件。

主权项

一种制造集成电路的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上方形成金属结构；在所述金属结构上方提供电介质；实施第一蚀刻工艺，从而在所述金属结构上方的所述电介质中形成沟槽；实施第二各向同性蚀刻工艺，从而在所述金属结构中形成底部切口，所述底部切口邻近所述沟槽；以及用导电材料填充所述沟槽和所述底部切口，直至与所述金属结构相接触。