[发明专利]一种紫外半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210291658.3 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102810609A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;杨建健;陈文欣;梁兆煊 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法，其结构包括：发光外延层，由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成，其一侧为出光面，另一侧为非出光面；隧道结，位于所述发光外延层的非出光面一侧，部分区域开孔露出发光外延层；光学相位匹配层，位于所述露出的发光外延层的表面层上，可透紫外线；反射层，覆盖整个隧道结和光学相位匹配层上。在发光外延层表面制备多层隧道结，并制作图形化结构，降低欧姆接触电阻的同时，减少外延表层对紫外线的吸收，从而提升亮度及降低电阻，以求达到高性能紫外线发光器件的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光波长为100～380 nm的紫外半导体发光器件，包括：发光外延层，由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成，其一侧为出光面，另一侧为非出光面；隧道结，位于所述发光外延层的非出光面一侧，部分区域开孔露出发光外延层；光学相位匹配层，位于所述露出的发光外延层的表面层上，可透紫外线；反射层，覆盖整个隧道结和光学相位匹配层上。
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