[发明专利]形成超高耐压电阻的版图结构

摘要

发明公开了一种形成超高耐压电阻的版图结构，包括高耐压场效应管和多晶硅电阻；高耐压场效应管包括漏区、源区、漏区漂移区和漂移区；漏区位于场效应管的中央，漏区漂移区位于漏区和源区之间，源区位于栅极外且被漂移区包围；漏区漂移区中形成场氧，靠近漏区的一侧场氧上形成漏区多晶硅场板，另一侧形成栅极多晶硅，栅极多晶硅和源区多晶硅场板横向相连并与源区相连；多晶硅电阻形成于场氧上且位于漏区多晶硅场板和栅极多晶硅之间，其高压端通过金属线与高耐压场效应管的漏区和漏区多晶硅场板相连，另一端通过金属线引出。本发明利用高耐压场效应管的耐压特性使得多晶硅电阻具有与高耐压场效应管相同的耐压能力。

主权项

一种形成超高耐压电阻的版图结构，其特征在于，包括高耐压场效应管和多晶硅电阻；所述高耐压场效应管包括漏区、源区、漏区漂移区和漂移区；所述漂移区位于硅衬底上，漏区、源区和漏区漂移区位于漂移区中；所述漏区位于场效应管的中央，漏区漂移区位于漏区和源区之间，源区位于栅极外且被漂移区包围；所述漏区漂移区中形成有场氧，靠近漏区的一侧场氧上形成有漏区多晶硅场板，另一侧场氧上形成有栅极多晶硅，所述漏区多晶硅场板通过漏端金属场板与漏区相连，所述栅极多晶硅和靠近源区的源区多晶硅场板横向相连，并通过源端金属场板与源区相连；所述多晶硅电阻形成于漏区漂移区的场氧上，位于高耐压场效应管的漏区多晶硅场板和栅极多晶硅之间，所述多晶硅电阻的高压一端通过金属线与高耐压场效应管的漏区和漏区多晶硅场板相连，另一端通过金属线引出。