[发明专利]高K膜的制作方法及晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201210287384.0 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594343A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L21/314;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高K膜的制作方法及晶体管的形成方法。所述高K膜的制作方法包括：提供基底；将第一前驱气体通过化学吸附过程吸附在基底表面；采用第一惰性气体去除未被吸附的第一前驱气体；采用第二前驱气体与基底表面吸附的第一前驱气体的分子反应，在基底表面形成第一薄膜，所述第一薄膜以单原子层形式均匀致密地沉积在基底表面；采用第二惰性气体去除未反应的第二前驱气体和副产物，所述副产物是基底表面吸附的第一前驱气体的分子与第二前驱气体反应产生的；重复循环上述步骤，在第一薄膜上面逐层生长，形成高K膜。利用本发明所提供的高K膜的制作方法制作的高K/金属栅极晶体管中的高K栅介质层，能有效减小漏电流，提高晶体管的性能和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高K膜的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；将第一前驱气体通过化学吸附过程吸附在基底表面；采用第一惰性气体吹扫并去除未被吸附的第一前驱气体；采用第二前驱气体与基底表面吸附的第一前驱气体的分子反应，在基底表面形成第一薄膜，所述第一薄膜为均匀致密的单原子层；采用第二惰性气体去除未反应的第二前驱气体和副产物，所述副产物是由基底表面吸附的第一前驱气体的分子与第二前驱气体反应产生的；重复循环上述步骤，在第一薄膜上面逐层生长，形成高K膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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