[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210282755.6 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103579299A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄智方;邱建维;张庭辅;杨宗谕;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)及其制造方法。高电子迁移率晶体管包含：半导体层，其具有半导体层能带间隙；阻障层，形成于半导体层上，其具有阻障层能带间隙；压电层，形成于阻障层上，其具有压电层能带间隙，其中，压电层能带间隙、阻障层能带间隙、与半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；栅极，形成于压电层上，用以接收栅极电压，进而导通或不导通HEMT；以及源极与漏极，分别形成于栅极两侧；其中，于除压电层下方外的半导体层与阻障层的至少一部分接面，形成二维电子云(2-D electron gas,2DEG)，且该二维电子云与源极及漏极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：一半导体层，该半导体层具有一半导体层能带间隙；一阻障层，形成于该半导体层上，该阻障层具有一阻障层能带间隙；一压电层，形成于该阻障层上，该压电层具有一压电层能带间隙，其中，该压电层能带间隙、该阻障层能带间隙、与该半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；一栅极，形成于该压电层上，用以接收一栅极电压，进而导通或不导通该高电子迁移率晶体管；以及一源极与一漏极，分别形成于该栅极两侧；其中，于除压电层下方外的半导体层与阻障层的至少一部分接面，形成一二维电子云，且该二维电子云与该源极及该漏极电连接。
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