[发明专利]一种高压肖特基二极管无效
| 申请号： | 201210281710.7 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103579297A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄勤;白玉明 | 申请（专利权）人： | 无锡维赛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压肖特基二极管，属于半导体领域，所述高压肖特基二极管包括依次层叠的阴电极、N型掺杂层、超结结构，结合于所述超结结构P型柱全部上表面及N型柱部分表面的介质层、结合于所述N型柱未被介质层覆盖的上表面的金属层以及与该金属层结合的阳电极，所述超结结构包括至少一个P型柱及至少一个N型柱。本发明增加P型柱的设计能大大地提升N型柱的掺杂浓度，大大地降低了正向阻抗以及大大地减小反向的漏电流，同时增加了二极管的反应速度。本发明的高压肖特基二极管可利用改变P型柱的属性达到所需的耐压程度，可用于设计600V或以上的器件。本发明结构简单，制作成本较低，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种高压肖特基二极管，其特征在于，所述高压肖特基二极管至少包括：N型掺杂层，其下表面结合有阴电极；超结结构，包括至少一个下表面结合于所述N型掺杂层的上表面、且与该N型掺杂层的上表面呈垂向延伸的P型柱，以及至少一个侧面结合于相邻的P型柱、下表面结合于所述N型掺杂层的上表面、且与该N型掺杂层的上表面呈垂向延伸的N型柱；金属层，结合于所述超结结构的上表面形成肖特基结；阳电极，结合于所述金属层表面。
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