[发明专利]切割/芯片接合薄膜无效
| 申请号： | 201210276141.7 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102911617A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 松村健 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/00;C09J4/02;C09J4/06;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及切割/芯片接合薄膜。本发明提供可以防止回流焊接破裂的产生从而可以以良好的生产率制造可靠性优良的半导体装置的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，至少具有在支撑基材上设置有粘合剂层的切割薄膜以及设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，通过下式（1）（式中，所述M1表示所述切割/芯片接合薄膜的初始重量，M2表示将该切割/芯片接合薄膜在85℃、85%RH的气氛中放置120小时进行吸湿后的重量）计算的吸水率为1.5重量%以下。[(M2-M1)/M1]×100=吸水率（重量%）（1）。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种切割/芯片接合薄膜，至少具有在支撑基材上设置有粘合剂层的切割薄膜以及设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，通过下式（1）计算的吸水率为1.5重量%以下，[(M2‑M1)/M1]×100=吸水率（重量%） （1）式中，所述M1表示所述切割/芯片接合薄膜的初始重量，M2表示将该切割/芯片接合薄膜在85℃、85%RH的气氛中放置120小时进行吸湿后的重量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210276141.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
