[发明专利]半导体结构及其制造工艺

摘要

本发明是有关于一种半导体结构及其制造工艺，该制造工艺包含提供载体；形成第一光刻胶层；形成多个芯部；移除该第一光刻胶层；形成第二光刻胶层；形成多个接合部，各该接合部包含有第一接合层及第二接合层，各该接合部连接各该芯部以形成混成凸块，其中各该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，各该基底部具有上表面，各该凸出部凸出于该上表面，且各该凸出部位于各该芯部上方，各该容置空间位于各该凸出部外侧，所述第二接合层覆盖所述凸出部及所述上表面且填充于所述容置空间中；移除该第二光刻胶层以显露出所述混成凸块。

主权项

一种半导体结构，其特征在于其至少包含：一个载体，其具有一个表面及多个形成于该表面上的凸块下金属层；以及多个混成凸块，其形成于所述凸块下金属层上，各该混成凸块具有芯部及接合部，该芯部具有顶面，该接合部包含有第一接合层及第二接合层，该第一接合层形成于该芯部的该顶面及该凸块下金属层上，其中该第一接合层具有基底部、凸出部及容置空间，该基底部具有上表面，该凸出部凸出于该上表面，且该凸出部位于该芯部上方，该容置空间位于该凸出部外侧，该第二接合层覆盖该凸出部及该上表面且填充于该容置空间中。