[发明专利]化学汽相沉积膜轮廓均匀性控制有效
申请号: | 201210271435.0 | 申请日: | 2012-07-31 |
公开(公告)号: | CN103147071A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 郭铭修;李志聪;周友华;蔡明志;陈嘉和;林进祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层,该第一层具有第一轮廓,以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层,该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓,并且第一轮廓、第二轮廓,以及第三轮廓彼此不同。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 轮廓 均匀 控制 | ||
【主权项】:
一种控制化学汽相沉积(CVD)膜轮廓均匀性的方法,所述方法包括:利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层,所述第一层具有第一轮廓;以及利用第二喷头通过CVD在所述第一层上方沉积第二层,所述第二层具有第二轮廓,其中,组合的第一层和第二层具有第三轮廓,以及其中,所述第一轮廓、所述第二轮廓以及所述第三轮廓彼此不同。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的